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增强版通用闪存（UFS）4.0 移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型UFS 封装（9 x 13mm）。基于先进的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可实现高达 1 TB容量，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。
realtek瑞昱ActiveProtect是我们多年累积客户实际部署反馈和研发经验的成果。我们相信，ActiveProtect可取代过往复杂且成本高昂的数据保护方案，为企业实现真正的降本增效，甚至超越企业对数据保护方案的固有理念。
　　客户可在多种Supermicro X14服务器类型中充分运用及发挥Intel Xeon 6处理器（包含高效核与性能核）的优越性能，且在软件上只需要程度的重新设计，并可受益于新型服务器的结构优势。

　　每个固定输出电压都可以通过外部反馈分压器在初始设定点以上调整。这使 GM12071 可提供 1.2V 至 VIN VDO 的输出电压且具有高 PSRR 和低噪声。
　　GM12071 提供 6 引脚 DFN 和 8 引脚 SOP 封装。仅有DFN 封装支持通过外部电容进行用户可编程软启动。
　　GM12071可替代ADI的ADP7104、ADP7102等系列产品。
　　与上一代解决方案相比，日前发布的接近传感器封装面积减小20%、待机电流降低20%仅为5 μA，阳光抵消量提高40%达140 klx。传感器探测距离为200 mm，典型额定电压1.8 V，器件具有优异的接近检测性能，同时降低功耗，提高空间受限、电池供电应用的效率。
realtek瑞昱　　英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加，以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。英飞凌于2022年在该市场推出了首款SPI F-RAM存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。”
　　为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
此外，对电流检测放大器、保护功能和逆变器级的集成进一步缩减了解决方案的尺寸和成本，从而可协助工程师开发更小巧的电机驱动器系统。

　　HAR 3920 具备线性、比率模拟输出信号，以及无源断线检测功能，可与上拉电阻或下拉电阻兼容，用途广泛。此外，它还提供开关输出（漏极开路），源自设备信号路径上的计算位置信息或其他来源，支持用户定义开/关点、开关逻辑和开关极性。
realtek瑞昱　　Microchip蓝牙低功耗器件的应用示例包括物联网智能家居和楼宇系统、工业物联网（IIoT）解决方案和汽车设计。设计人员在入门级应用中使用新扩展的蓝牙低功耗产品组合，可受益于简便的开发流程，包括内部支持服务和开发工具，而不会影响蓝牙功能。此外，Microchip全面的MCU知识还能帮助他们进行产品选择，在需要应对更复杂的设计挑战时，还可以轻松切换到更先进的工业级蓝牙低功耗产品。
　　半导体业内人士表示，“如果对高通的依赖性增加，三星在与高通的零部件价格谈判中就会处于不利地位，联发科是对抗高通的一张宝贵”。
　　随着汽车原始设备制造商不断增加和优化车道偏离警告、防撞和自适应巡航控制等ADAS功能，汽车的物料清单（BOM）也在不断增加。电动汽车（EV）、混合动力汽车和传统油车皆是如此。与此同时，汽车制造商也在努力提高自动驾驶功能，而这意味着需要更多更复杂的电子元器件。管理所有这些新型电子子系统的电子控制单元（ECU）尤其容易受到静电放电损害，因为对于安全关键ADAS和自动驾驶功能而言，即便是极其短暂的中断也是不可接受的。