st 意法半导体

当与20CFM的强制空气一起使用时，CCP550系列提供完整的 550W输出，在其小巧的外壳（37.5毫米[1.48英寸]）、127.0毫米×76.2毫米5[英寸×3英寸]的空间内确保出色的功率密度水平。
st 意法半导体　　该产品也支持宽广的信号电压范围，共模电压从 0V 至供应电轨电压，可实现多重标准的直流耦合。由于不需要交流耦合电容，直流耦合可以在高度密集的 PCB 设计中节省空间，并加强信号完整性。PI3WVR41310 专为高速视频信号产品应用设计，凭借低通道间串扰、低通道外隔离与低位间（bit-to-bit）偏斜，确保低信号回波损耗。
　　VOIH72A 开关速度快，脉宽失真低，适用于数据通信、脉宽调制以及自动化设备、电机驱动器和电动工具高压防护。器件瞬态共模噪声抑制（ CMTI ）达 20 kV/μs。光耦供电电流低，是电流噪声隔离和断开接地环路，降低功耗的理想解决方案。

　　BC68R2123工作电压为2.2V~3.6V；MCU具有1K×14 OTP Memory、64×8 RAM、2组Timer等系统资源。RF发射功率达+13dBm，射频特性符合ETSI/FCC规范，支持OOK/FSK调制，传输速率0.5kbps~50kbps。采用16NSOP-EP封装，具备9个GPIO。
　　近年来，激光在医美领域的应用日益增多，受到业界的广泛关注。立芯光电一直致力于医美领域大功率半导体激光芯片技术的不断创新研发。
st 意法半导体　　产品端子采用弹性触点设计，可有效减少连接器在振动环境及冷热冲击下，公母触点间的摩擦腐蚀，确保连接器电接触的持久可靠。
　村田首款实现了1608M尺寸且静电容量可达100F的多层陶瓷电容器在高达105℃的高温环境下也能使用，因此，该电容可以放置在IC附近可用于包括AI和数据中心等的高性能IT设备在内的民生设备株式会社村田制作所（以下简称“村田”）已开发出了村田首款※1、1608M尺寸（1.6×0.8mm）、静电容量高达100?F的多层陶瓷电容器（以下简称“本产品”）。
首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。

　　该模组基于高通骁龙?X35基带芯片组开发，具备卓越的无线性能，并支持无缝低延迟5G通信以及包括5G LAN、URLLC、网络切片在内的多项5G NR特性。
st 意法半导体　　据市场研究公司 TrendForce 称，GDDR7 是图形内存市场的下一个大热门。“随着新 GPU 进入验证阶段，内存公司正在逐步增加 GDDR7 的产量，目前 GDDR7 的价格比 GDDR6 高出 20% 至 30%”，TrendForce 表示。“预计第三季度 GDDR7 芯片出货量将略微提高内存的平均售价。”三星电子于 2023 年 7 月开发出业界首款 32Gbps GDDR7 D-RAM。
　　G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化，与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比，硬开关品质因数（FOMs）提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源（PSUs）的功率增加到10kW，每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。
　　两家公司的合作互利双赢。对于主要从高通采购AP的三星电子来说，联发科是与高通谈判降低供应价格的宝贵底牌。无晶圆厂设计公司联发科也是三星代工厂的潜在客户。对于联发科来说，三星电子是AP市场不可失去的大客户。业内预测，未来两家公司将继续务实合作。